일본의 다나카 귀금속 공업 주식회사(Tanaka)는 국립대학 법인 큐슈 대학 대학원 공학 연구원 응용화학 부문과 공동으로 반도체 메모리의 DRAM에 사용되는 캐패시터 전극을 기존의 6배 깊이까지 성막 가능한 루테늄 재료의 개발에 세계 최초로 성공했다. 차세대 DRAM의 미세화 기술에 이용되는 MOCVD(유기 금속 화학 기상 증착법)의 본격 도입에 맞춰, 2012년내에 상용화하는 것을 목표로 한다.
이 루테늄 재료는 회로 선폭 20nm 이후의 차세대 DRAM에 사용되는 MOCVD의 성막 재료(Precusor)로 40대 1의 높은 어스펙트비를 가진 세공 내부에 균일한 루테늄 박막을 형성할 수 있다. 이것에 의해, 기존의 6배의 깊이까지 캐패시터 전극을 제조하는 것이 가능하게 된다. 각 반도체 메이커들은 20nm의 차세대 반도체를 2012년 중에 양산화할 예정으로 이 루테늄 프리커서를 이용해 20nm 세대 이후의 미세화에 대응할 수 있는 캐패시터 전극을 제조할 수 있다.
반도체 메모리의 대용량화에 따라, 반도체 메이커 각 업체들은 차세대 DRAM의 미세화에 대응하기 위해, 메모리 셀을 깊게 하고, 캐패시터 전극을 입체 구조로 하는 제조 방법을 채용할 예정으로 입체 전극의 제작 방법으로 MOCVD의 채용이 기대되고 있다. 그러나, 기존의 MOCVD용 루테늄 프리커서에서는 전극 박막을 형성할 수 있는 어스펙트비가 최대로 6대 1이며, 20nm 세대 이후에 필요하게 되는 높은 어스펙트비의 캐패시터 전극을 제조할 수 없는 것이 기술적인 과제가 되고 있었다.
MOCVD의 성막 원료에는 일반적인 금속보다 증발하기 쉬운 유기 금속 착체가 이용된다. 다나카 귀금속 공업이 이번에 세계 최초로 개발에 성공한 루테늄 프리커서는 유기 화합물과 금속 원소로 이루어진 유기 금속 착체이다. 증기압이 높고(성막시에 증발하기 쉽고), 가열에 의해 용이하게 금속을 석출하기 쉬운 성질을 가지기 때문에 40대 1이라는 높은 어스펙트비를 가지는 세공 내부에 피복율 70%의 루테늄 박막을 165℃의 저온에서 형성할 수 있다.
원본출처: pro.tanaka.co.jp