I P 아카데미
I P 이해하기
특허 / 상표 / 디자인
특허 검색 / 분석
분쟁 / 심판 / 감정평가
PCT 국제출원
마드리드 국제상표출원
특허 명세서 작성방법
IP 자료실
유용한 I P 자료
지재권 연구 및 보고서
I P 판례
아이디어 보물섬
기발한 아이디어
아이디어 공유
지식재산권 지원 사업
아이디어 멘토링
아이디어발상법
창의력 퀴즈
아이템 창출법
아이디어->창업까지
기술분야별 동향
I T / 전자전기
화학 / 바이오 / 환경
기계 / 자동차/ 건설
기타 동향
포럼
자유게시판
일반게시판
공지사항
문의게시판
보도자료
지식재산 솔루션 & 지식재산 법률 아웃소싱 서비스
고객님의 지식재산권을 소중하게 여기고, 최상의 권리로서 확보 및 관리를 할 수 있도록 선행기술조사, 특허정보분석, 기술 사업성 및 가치평가, 라이센싱등등 최고의 지식재산 토털 서비스를 제공해 드리고 있습니다.
특허, 실용신안, 평가, 아이디어, 출원, 상표출원, 특허도우미

화학 / 바이오 / 환경

번호 : 1076 작성자 : master  쪽지보내기 작성일 : 2012-01-24 조회수 : 1695
제목 :

높은 수율의 전계-효과 트랜지스터 단일 공정법

이 논문은 소분자 반도체의 높은 이동도를 위해 간단한 대체 공정법으로서, 증착후 공정단계가 필요치 않은 단일 공정법에 대한 보고이다. 이 공정은 반도체의 주물 온도를 조절하여, 대면적에 걸친 소자 효율의 재생산성과 트랜지스터의 균등하면서도 빠른 생산성을 갖도록 한다.

용해성 펜타신과(pentacene) 티오핀(thiophene)은 유기 전계-효과 트랜지스터(OFETs; Organic Field-Effect Transistors)를 위해 TES ADT (5,11-bis(triethyl silylethynyl)anthradi-thiophene) 화합물중 전하-캐리어의 이동도가 비교적 빨라 유망한 전자재료들로 손꼽힌다. 그러나 이러한 소분자 재료에 기초한 소자들의 재생산성과 내구성은 여전히 기술적 도전과제이다. 한편, 고성능 트랜지스터의 대부분은 top-게이트 소자와 비교적 두껍고, 낮은 유전상수의 폴리머 게이트 유전체의 조합으로 구성되며, 게이트 전극과 반도체성 채널 사이의 작은 커패시턴스는 높은 동작 전압의 원인이 된다. 최근, TES ADT 단일 활성층을 bottom-gate/bottom-contact 트랜지스터 소자를 위해 사용한 예가 발표된 바 있지만, TES ADT 구조에서 약 0.1 cm^2/Vsec을 얻기 위해서는, 진공중에서 최소한 7일 이상동안 재료의 aging이 필요하다. Aging은 TES ADT 박막의 구조와 소자 효율의 관계등을 조사하기 위해 매우 유용하지만, 대량생산을 위해서는 적합하지 않다. 따라서, 장시간이 필요한 공정없이도 TES ADT의 분자 순서를 조작할 수 있는지의 여부를 조사하고자 하였다.

소자 공정전, pentafluorobenzenethiol 단일층이 Au 전극위에 증착되었고, SiO2는 trichlorophenylsilane으로 다루어졌다. 4 wt. %의 TES ADT 솔루션이 클로로폼으로 사용되었고, 30~40 도의 온도에서 캐스팅되었다. Aging은 주어진 재료의 유리 전이 온도(glass transition temperature)나 그 이상에서 발생한다. 따라서 높은 캐스팅 온도는 이 공정을 가속시킨다. 고온 캐스트 된 TES ADT 박막의 무결정 특성은 [그림 1]에 제시된 WAXS(Wide Angle X-ray Scattering)과 광학 현미경 사진에서 볼 수 있듯이, 어떤 굴절율이나 반사 특성이 없는 것으로 증명된다. 이와 같은 고온 캐스트 TES ADT 구조에서 높은 분자 무질서(disorder)로 인해, bottom-gate/bottom-contact 소자의 포화 전하-캐리어 이동도는 약 5E-6 cm^2/Vsec 에 불과하다. 무결정 구조의 형성은 급작스런 솔벤트의 제거가 부분적인 원인이 되는 것으로 분석된다. 높은 온도에서 더 빠른 분자 이동도는 향상된 분자 정렬을 유도하여 TES ADT 구조를 가지도록 한다.

5 도의 온도에서 캐스트 된 높은 균질성(homogenous)의 박막은 단일 공정으로 bottom-게이트/bottom-컨택 소자를 공정할 수 있도록 해줌으로서, TES ADT에 기초한 90 개 이상의 단일 OFET 소자들의 특성을 측정하여 [그림 2]에 제시하였다. 트랜지스터들은 가파른 sub-threshold 기울기와 높은 전류 modulation을 가지고, 1E+5 배 이상의 on/off 전류비를 가지는 것으로 측정되었다. 0.23~0.61 cm^2/Vsec의 높은 포화 이동도를 가지며, 2.7~4.5 V의 안정적인 threshold 전압을 가지는 것으로 측정되었다. 최대 이동도는 1.3 cm^2/Vsec로 평가되었다. 100 %에 이르는 소자 공정 수율을 가져 간략화된 소자 집적과 대량 생산을 위해 적합한 공정법으로 평가된다. [그림 2]에 제시된 트랜지스터 데이터는 평면(in-plane) 전하 전달을 분석하기 위한 대체 툴(tool)을 제공하는 lateral time-of-flight transient 광전도성 (LTOF) 측정법에 의해 분석될 수 있다.

이 연구에서, 20 도보다 높고, 유리 전이 온도보다 낮은 온도에서 클로로폼내에 TES ADT 솔루션을 캐스팅하면, 결정 박막이 단일 단계의 공정법에 의해 이루어짐을 발견하였다. 이는 고성능 bottom-gate/bottom-contact 트랜지스터의 공정을 용이하게 해줄뿐 아니라, 다른 유기 반도체에 대해서도 적용할수 있을 것으로 기대해본다.

출처: 한국과학기술정보연구원
원본출처: apl.aip.org
(총0건)
지식재산권 지원 사업
2013년 상반기 지식재산권 중심의 기술획득전략 지원사업 (
2013년 상반기 첨단부품ㆍ소재산업 지식재산(IP)-R&D 전략
[부산] 스마트프로덕트 기업지원(맞춤형패키지, 특허, 인증
[울산] 해외특허출원비용 지원사업 대상업체 추가모집 (201
[부산] 특허기술 홍보물 및 시뮬레이션 제작지원사업 (2012
[대전] 기술사업화 종합지원사업 국내외 산업재산권 출원
[부산] 스마트 프로덕트 기업지원(맞춤형패키지, 특허, 인
지식재산권 판례
상표법 제51조 제1항 제1호 본문에 규정된 ‘자기의 명칭’
구 특허법 제136조 제1항 제3호에 규정된 ‘불명료한 기재
상표법상 서비스표의 사용은 유상으로 서비스를 제공하는
교육법, 교재 및 교구 등과 깊은 관련이 있는 지정상품 또
특허심판원에서의 심판절차에서 민사소송법 제288조 중 재
적극적 권리범위확인 심결에 관한 취소소송절차에서 피심판
특허법원 2012. 6. 28. 선고 2012허436 등록정정(특) 판결
아이디어 멘토링
특허기술로 벤처기업을 확인받으려면 어떻게 해야 하나요?
[트리즈] 6. 비대칭- 여섯번째 미션
다섯번째 미션 해결 및 분석
케이플스 (John Caples)의 12가지 광고 아이디어 창출법
아이디어 발명의 10계명
아이디어 멘토링 동영상 강의: SixthSense 기술의 놀라운
[트리즈] 5. 국소적 성질 - 다섯번째 미션
지재권 자료 / 연구 및 보고서
발명진흥법 일부개정안 입법예고
부정경쟁방지 및 영업비밀보호에 관한 법률 일부개정법률안
한국 멕시코 특허심사하이웨이
한국 일본 PCT 특허심사하이웨이
[한국-중국 특허심사하이웨이] 한국특허청에 PPH 신청 절차
한국 중국 PCT 특허심사하이웨이
한국 중국 특허심사하이웨이(PPH 및 PCT-PPH)
지식재산권 아카데미
특허 취하와 포기의 차이점은 무엇인가요?
특허출원한 A발명과 동일한 B발명이 이미 타인에 의해 출원
특허 출원공개의 효과는 무엇인가요?
조기공개신청을 취하할 수 있나요?
공개특허와 공고특허의 차이점은 무엇인가요?
조기 특허출원 공개 신청?
특허출원공개란?
특허사무소와 기업 및 개인발명가를 위한 해외출원 업무 및 관리 프로그램
COMANAS는 해외출원 업무 및 관리의 전문성과 창의적인 IT기술을 접목하여 해외출원부터 사후 관리까지 일괄로 관리할 수 있는 해외출원 솔루션 프로그램을 개발했습니다. 중요한 건 코마나스 솔루션의 사용이 무료라는 것입니다.
뉴아이피비즈 제휴문의 이용약관 개인정보보호정책 오시는 길 사이트 맵
홍보: 주식회사 코마나스 해외업무: 대일국제특허법률사무소
서울시 영등포구 당산로 27길 18 진양빌딩 3층
사업자등록번호 : 117-81-77198, 대표 이현구/변리사 이종일
Copyright © 2011~2019 Comanas Co., Ltd all rights reserved.